本发明涉及到电池的技术领域,公开了高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法,其中的方法,包括步骤有,S1制备正极片,通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物,喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂,所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体,然后铺平面之后经过高温固化、加压,最后再切割;S2制备负极片,使用石墨与ACET混合制作为膏体,然后铺平面之后经过高温固化、加压,最后再切割;S3然后使用硅锗半导体做隔膜的材料;S4然后将正极片、负极片、隔膜与电解质叠层制作单体电池并在外表面覆膜。
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