本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片,其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%,晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法,首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2~6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体,晶体经过退火极化处理,再切割成晶片,将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5~6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中,再在1000℃~1150℃温度下恒温20~40小时进行扩散热处理,即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀,折射率分布均匀,掺镁浓度高,铌锂比接近同成分配比,内部缺陷少,电畴反转电压较低,适合批量化的PPLN器件技术要求。
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