本发明属于宽带电光调制器技术领域,具体涉及一种基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器及其制备方法。该调制器包括:基底、铌酸锂薄膜、光学波导、缓冲层以及金属电极。所述基底采用石英晶片;所述铌酸锂薄膜具有单晶结构且厚度为4至10微米;所述光学波导采用钛扩散波导或退火质子交换波导;所述缓冲层采用二氧化硅薄膜;所述金属电极采用行波电极结构,对于X切Y传的铌酸锂薄膜,金属电极的正负电极对称地位于光学波导两侧,对于Z切Y传的铌酸锂薄膜,金属电极的正电极或负电极位于光学波导上方而另一极位于光学波导一侧。本发明的有益技术效果在于:有效地提高电光调制器的折射率匹配与特征阻抗匹配,从而提高了调制器的工作带宽。
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“基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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