本发明涉及一种双导电层包覆内嵌尖晶石的富锂锰基
正极材料及其制备方法和应用。所述尖晶石晶畴均匀分散在富锂锰基晶粒内,质量和占所述富锂
锰基正极材料的质量分数为0.5%‑10%,可提供3D离子通道。所述双导电层为源于氟化石墨的石墨化碳层以及LiF层,双导电层质量和占所述富锂锰基正极材料的质量分数为1%‑10%。
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