本发明属
电化学技术领域,具体为一种阳极材料 采用硒化银(Ag2Se)薄膜的锂离 子电池及其制备方法。该薄膜材料采用脉冲激光沉积法制备获 得,硒化银(Ag2Se)薄膜的粒子尺 寸为200-800nm,晶体结构属于正交晶系。薄膜电极的可逆 比容量为505mAh/g,在反复充放电过程中具有一定的容量保 持特性。该种薄膜电极材料化学稳定性好、比容量高,制备方 法简单,适用于薄膜锂离子电池。
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“以硒化银薄膜为阳极材料的薄膜锂离子电池及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)