本发明公开了一种Y波导集成光学器件铌酸锂
芯片的制备方法,主要包括在衬底片上制备SiO2波导掩模、质子交换、退火、电极剥离、电极电镀、芯片切割和端面磨抛步骤。本发明采用纯苯甲酸作为质子交换源,质子交换温度150℃~170℃,时间170-210分钟。为防止波形倾斜,在质子交换后,先腐蚀掉SiO2波导掩模,对晶片进行清洗,在铌酸锂晶片上重新生长一层SiO2隔离层,再进行退火。本发明采用纯苯甲酸作为质子源,提高了工艺过程的一致性,降低了对实验室的环境污染;通过腐蚀掉SiO2波导掩模,重新生长波导隔离层,确保器件波形不产生倾斜畸变。
声明:
“Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)