本发明实施例公开了一种制备钽酸锂晶片的方法,包括:获取钽酸锂基片;清洗钽酸锂基片;将钽酸锂基片置于腐蚀溶液中,并且在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液,使钽酸锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间,获得钽酸锂晶片;清洗并干燥钽酸锂晶片。本发明的实施例的方法中,对钽酸锂基片进行腐蚀时,在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液,通过对该加热位置的控制,实现了对钽酸锂基片表面的温度分布的控制,进而控制了腐蚀速率,从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性。该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好,表面粗糙度小,并且背侵、背花等问题得到改善。
声明:
“制备钽酸锂晶片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)