本申请属于光电材料技术领域,尤其涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。其中,铌酸锂晶体的制备方法,包括步骤:计算铌酸锂晶体生长的温度场结构;计算铌酸锂晶体的生长参数;将锂源和铌源进行混合干燥处理,得到混合原料;在空气氛围中,对混合原料进行烧结处理,得到铌酸锂多晶料块;在计算的温度场结构中,将铌酸锂多晶料块融化后,在籽晶的引导下,依据计算的生长参数,采用提拉法进行晶体生长后,得到铌酸锂晶体。本申请铌酸锂晶体的制备方法,通过模拟、推演和计算方法分别计算铌酸锂晶体的温度场结构和生长参数,然后在计算的温度场结构中,依据计算的晶体生长参数,采用提拉法进行晶体生长,显著提高铌酸锂晶体的生长效率。
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