本发明公开了一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器,通过将铌酸锂电光调制器的电极制备成上下型结构,上层电极(信号极)分别位于光学波导上方,下层电极为地电极,因而上下型电极结构对光学波导可以起到100%的调制效率,远高于传统铌酸锂电光调制器的40%至50%的电光调制效率;此外,本申请采用具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料,可实现与传统铌酸锂电光调制器相比更短的电极间距。上述两方面因素可大幅降低铌酸锂电光调制器的半波电压。
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