本发明提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示
芯片及其制造方法,包括:上下玻璃基板,TFT阵列模块,铌酸锂电光调制模块,透明电极以及滤光片;其中,所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵,所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧,形成黑矩阵,黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本发明将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块,由于调光过程中不需要分子转动,因此具有更高的响应速度,且铌酸锂材料本身具有更高的折射率,这均有利于器件的进一步优化。再者,省略了传统光电显示芯片中灌晶这一繁琐的操作,简化了工艺步骤,节约了成本。
声明:
“薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)