本发明公开了一种硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法,调制器包括:硅基底晶片、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、光学波导、金属电极、硅V形槽、耦合光纤,二氧化硅下包层位于硅基底晶片的上表面;铌酸锂薄膜位于二氧化硅下包层之上。本发明的有益效果为:(1)实现了铌酸锂单晶晶体与硅单晶晶体的异质集成;(2)铌酸锂晶片的薄膜化,以及二氧化硅下包层的低介电常数、低介电损耗等特性,可实现铌酸锂光调制器的调制速率(或调制带宽)的提升;(3)铌酸锂晶片的薄膜化,以及二氧化硅下包层的高绝缘性,可实现分布于铌酸锂薄膜中的微波电磁场强度的增加,提高电场对光场的调制效率,降低器件的驱动电压。
声明:
“硅基铌酸锂高速光调制器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)