本发明涉及光学器件技术领域,提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中,包括薄膜铌酸锂光子
芯片,薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层;薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层,铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合;III‑V有源波导层上覆盖有N型金属电极和P型金属电极。本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上,实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连,实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
声明:
“基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)