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铌酸锂调制器及其制造方法

775   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:03:50
一种铌酸锂调制器及其制造方法,其包括:选择具有合适的晶体切向和电场利用方向的铌酸锂晶体制备的衬底;在铌酸锂晶体上制作出的光波导;制作在铌酸锂晶体上的与光波导匹配的调制电极,包括中心信号电极和与地连接的地电极,其中调制电极的各电极与光波导之间组成推挽结构,且调制电极的拐弯部分为锥形过渡和弯曲过渡;制作在调制电极的输入端和输出端的微带匹配电路;在调制电极与光波导之间设置的缓冲层结构。本发明由于巧妙地设计调制电极与光波导以及两者之间的匹配结构,从而可以提供一种调制速率高、插入损耗低、消光比高、半波电压低、电反射小的高可靠性的铌酸锂调制器及其制造方法。
声明:
“铌酸锂调制器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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