一种铝酸锂晶片的抛光方法,包括下列步骤:将提拉法生长的铝酸锂晶体,用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片;将此晶片放入浓度为78-80%的盐酸或者硝酸中,升温至80-100℃,保温15-30分钟,取出用氮气吹干,用大视场显微镜观察晶片正反面腐蚀坑的情况,选择腐蚀坑少的一面作为下一步的抛光面;将晶片的待抛光面放在胶盘上,首先选用
氧化铝粉对其进行粗磨,粗抛,达到表面平均粗糙度为5-10nm的晶面;对晶面进行精抛,用pH=8-9的SiO
2抛光液,抛光时间为1-3小时,获得表面平均粗糙度为1-2nm的晶面;采用中性金刚砂液,对此晶面继续抛光,抛光时间1.5-2.5小时,可以得到表面平均粗糙度优于0.2nm的晶面的铝酸锂晶片。
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