本发明提供一种基于套刻技术的铌酸锂薄膜波导微环的制备方法。其基本方案为:采用紫外光刻、金属镀膜工艺,在铌酸锂薄膜基片上制备环波导掩膜;采用紫外光刻套刻、金属镀膜和lift‑off工艺,在铌酸锂薄膜基片上制备直波导掩膜;采用刻蚀法刻蚀铌酸锂薄膜基片,将金属掩膜图形转移到铌酸锂薄膜层;清洗去除掩膜,得到铌酸锂薄膜波导微环器件样品。采用本发明的方法,将工艺精度从普通的光刻精度优化至套刻精度,即使使用光刻线宽精度为1um以上的普通紫外光刻机,也可以实现间隙要求小于0.8um线宽的微环器件的制备,极大地降低了成本,提高了制备的效率。
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