本实用新型提供了一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装结构,首先制备氟化锂缓冲层,然后依次制备聚乙烯醇/氟化锂交替封装薄膜。本专利薄膜封装结构主要具备以下特征:①氟化锂缓冲层(6)覆盖于有机光电子器件(5)之上,其尺度适当,以使待封装有机半导体器件的电极(2和4)露在外面,而有机半导体器件的有机半导体活性层(3)被完全封装在里面;②第一层聚乙烯醇封装层(701)覆盖于氟化锂缓冲层(6)之上,第一层氟化锂封装层(702)覆盖于第一层聚乙烯醇封装层(701)之上,氟化锂封装层和聚乙烯醇封装层不断交替重叠至第N层氟化锂封装层(NO2),N为大于等于1的整数。
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