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铌酸锂半导体结构的制备方法

906   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:58:43
一种铌酸锂半导体结构的制备方法,包括以下步骤:S100,提供铌酸锂材料薄膜,所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向;S200,在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层,多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极;S300,给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压,使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向,所述第二方向与所述第一方向相反。
声明:
“铌酸锂半导体结构的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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