本发明公开了一种富含缺电子结构的秋兰姆基锂电
正极材料及其制备方法。该锂电正极材料包括正极活性材料秋兰姆重组物;其中秋兰姆重组物中含有S‑S键并富含缺电子结构。其制备为:1)以TMTM为起始物,将其溶解于电解液中,之后滴加到碳纸上作为正极,负极为锂金属,得到锂‑秋兰姆电池;2)将锂‑秋兰姆电池,通过高压
电化学氧化TMTM,原位得到富含缺电子结构的秋兰姆基锂电正极材料。本发明所得锂电正极材料在
锂电池中表现出超长的循环性能,良好的倍率性及低温特性;制备方法简单,反应可控,有利于工业化生产。
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