本发明为一种聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体,其包含硅纳米粒子及聚倍半硅氧烷,且具有Si‑H键,利用透射电子显微镜(TEM)所观察到的所述聚倍半硅氧烷的厚度为1nm以上且30nm以下,所述硅纳米粒子的体积基准平均粒径超过10nm且未满500nm,并且不含粒径为1000nm以上的粒子,所述聚倍半硅氧烷被覆所述硅纳米粒子,并化学键结在所述硅纳米粒子的表面。
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“聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体及其制造方法、锂离子电池用负极活性物质、锂离子电池用负极以及锂离子电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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