本发明公开了一种8‑羟基喹啉硼化锂修饰的聚合物传感器阵列的构建方法及应用,该方法包括以下步骤:步骤1、LiBMQ‑g‑SVBTC‑PPV传感基元构筑;步骤2、毒品光电传感阵列构筑与性能评估;步骤3、数据分析与处理。本发明为进一步提高气氛毒品光电传感材料的灵敏度,实现对常见毒品信号差异性放大,采用光电传感检测方法,结合表面修饰技术、传感器阵列构建及主成分分析技术,制备并构建可定性识别常见毒品光电传感器阵列。
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