本发明公开了本发明提供了一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺,包括如下步骤:在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu3N薄膜,其中Cu3N薄膜的厚度为10‑12nm;在Cu3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO2薄膜,其中第一TiO2薄膜的厚度为12‑15nm;在第一TiO2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn3N4薄膜,其中Zn3N4薄膜的厚度为10‑12nm;在Zn3N4薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li4Ti5O12薄膜,其中第一Li4Ti5O12薄膜的厚度为10‑12nm;在第一Li4Ti5O12薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO2薄膜,其中第二TiO2薄膜的厚度为10‑12nm;在第二TiO2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe3N薄膜,其中Fe3N薄膜的厚度为7‑9nm;在Fe3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al2O3薄膜,其中Al2O3薄膜的厚度为7‑9nm;以及在Al2O3薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li4Ti5O12薄膜。
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“用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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