本发明公开了本发明提供了一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺,包括如下步骤:在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu
3N薄膜,其中Cu
3N薄膜的厚度为10‑12nm;在Cu
3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO
2薄膜,其中第一TiO
2薄膜的厚度为12‑15nm;在第一TiO
2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn
3N
4薄膜,其中Zn
3N
4薄膜的厚度为10‑12nm;在Zn
3N
4薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li
4Ti
5O
12薄膜,其中第一Li
4Ti
5O
12薄膜的厚度为10‑12nm;在第一Li
4Ti
5O
12薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO
2薄膜,其中第二TiO
2薄膜的厚度为10‑12nm;在第二TiO
2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe
3N薄膜,其中Fe
3N薄膜的厚度为7‑9nm;在Fe
3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al
2O
3薄膜,其中Al
2O
3薄膜的厚度为7‑9nm;以及在Al
2O
3薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li
4Ti
5O
12薄膜。
声明:
“用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)