本发明公开一种利用真空磁控溅射镀膜技术制备
锂电池C‑Si负极涂层的方法,该方法是将负极基材安装到极片架上;开启连续式真空磁控溅射镀膜设备,调整设备至可镀膜工艺条件;投入待镀膜基片架‑铜箔;离子源等离子轰击剥离铜箔表面氧化层、去除表面尖峰;直流溅镀C‑Si膜;加热退火处理;出料后特性检查;本发明通过磁控溅射真空镀膜技术在锂电池负极铜箔上沉积一层C‑Si复合负极薄膜,以提高负极电极电性能。
声明:
“利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C-Si负极涂层的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)