本发明公开了一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法,是将待处理的铌酸锂或钽酸锂 晶片分别置于坩埚中,加入预先按质量比例混合均匀的铁粉和
碳酸锂粉,完全覆盖晶片, 然后将此刚玉坩埚置于热处理炉中,在流量为0.5~1L/min的氮气气氛下,以450~550 ℃温度条件进行热处理3~20小时,制得成品铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明方法制备的 晶片电阻率在109~1012Ω·cm量级,相比于常规未处理晶片,电阻率大幅度降低,并 且本发明的方法能够以短时间的热处理有效地制备SAW器件所需要的晶片,增加了元件 制造过程中的成品率,成为工业化的优选方法。
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