提供了一种生长铝酸锂(γ-LiAlO2)单晶及掺杂铝酸锂晶体的多坩埚熔体生长技术,包括:(1)铝酸锂原料的合成;(2)将合成的铝酸锂原料及经过定向的籽晶装入坩埚,移至高温下降炉内,整个系统密封后通电升温,先后启动机械泵、扩散泵,抽真空至10-3-10-4Pa,当炉温达800-1200℃充入惰性保护气体,继续升温至设定温度1600-1900℃;(3)炉温达设定温度后,保温1-4小时,调节炉膛温度和坩埚位置使原料及籽晶顶部熔化,实现接种生长,将固液界面温度梯度设定在10-50℃/cm,坩埚下降速率控制在0.1-3.0mm/h;(4)待晶体生长结束后,进行原位退火处理。本发明的工艺特点在于特殊温场设计、多坩埚技术、原位退火处理等,优点在于温场稳定,温度梯度可调,操作方便,平均能耗低,一炉多产,有利于产业化生产。
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