本发明公开了一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法,包括以下步骤:(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中,然后充满还原性气体;(2)按照设定好的图形,激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片,通入惰性气体排出还原性气体,得到局域黑化的晶片。所述激光欠焦的参数为:激光波长为1064nm,激光功率为4~10W,欠焦距离为0.50~2.50cm,扫速为100~600mm/s。本发明在还原性气体氛围内,采用激光照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片,能够快速实现晶片黑化,同时还可以对黑化的区域进行选择,达到局域化黑化的目的。
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