本实用新型提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件,其中,Split Gate‑IGBT结构,包括Split Gate结构、Trench Gate结构;所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型提供的Split Gate‑IGBT结构,通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构,在拥有较快开关速度的同时,还可进一步提高器件元胞密度,降低饱和压降;同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。本实用新型另外提供的器件,可广泛应用于工业加热、变频器、照明电路、
新能源汽车等领域。
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