本发明涉及一种基于钼箔负载的MoS
2纳米片阵列结构的锂离子电池的制备方法,属于
新能源材料及其器件制备技术领域。本发明以MoO
3和S粉为蒸发源,通过简单的一步化学气相沉积法,直接在钼箔上生长出MoS
2纳米片阵列结构,并将其直接用作锂离子电池的阳极材料;配合金属锂箔阴极、隔膜、电解液等直接组装成了锂离子电池。采用本技术制备的锂离子电池阳极材料,MoS
2纳米片阵列结构产量大、纯度高、结晶性好、形貌规整;MoS
2纳米片阵列结构紧密地结合在钼箔上;且合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、成本低。采用本技术制备锂离子电池,过程简单、环境友好、无污染、无需后处理;且这种新型锂离子电池比容量高,充放电循环稳定性稳定。
声明:
“基于钼箔负载的二硫化钼纳米片阵列结构的锂离子电池的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)