本发明涉及一种Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用,属于新能源及
新材料制备领域,具体涉及
太阳能电池薄膜制备领域。该制备方法采用单靶磁控溅射技术和快速热处理技术相结合制备铜铟镓硒薄膜,整个制备过程无硒化步骤。制得的铜铟镓硒薄膜具有黄铜矿物相结构,可用作太阳能电池的光吸收层。本发明所述方法工艺简单,膜基附着性强、无需硒化处理、利于环保和节能、便于大面积生产。
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“Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制备和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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