本申请实施例涉及
光伏新能源领域,特别涉及一种
太阳能电池制备方法及半导体结构,其中,太阳能电池制备方法包括:在基底的正面制绒;对正面进行扩散处理以形成掺杂层;在基底的背面形成钝化层;在钝化层远离基底的一面形成掩膜层,其中,掩膜层包括可挥发性材料;在掩膜层远离钝化层的一面印刷导电浆料;加热导电浆料以使导电浆料形成电极,其中,在加热过程中,掩膜层至少部分挥发;本申请实施例提供的太阳能电池制备方法及半导体结构,减少了导电浆料入侵基底或太阳能电池的其他结构的深度,在太阳能电池使用时,可减少复合损失,从而提升太阳能电池效率。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)