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太阳能电池制备方法及半导体结构

844   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:28:04
本申请实施例涉及光伏新能源领域,特别涉及一种太阳能电池制备方法及半导体结构,其中,太阳能电池制备方法包括:在基底的正面制绒;对正面进行扩散处理以形成掺杂层;在基底的背面形成钝化层;在钝化层远离基底的一面形成掩膜层,其中,掩膜层包括可挥发性材料;在掩膜层远离钝化层的一面印刷导电浆料;加热导电浆料以使导电浆料形成电极,其中,在加热过程中,掩膜层至少部分挥发;本申请实施例提供的太阳能电池制备方法及半导体结构,减少了导电浆料入侵基底或太阳能电池的其他结构的深度,在太阳能电池使用时,可减少复合损失,从而提升太阳能电池效率。
声明:
“太阳能电池制备方法及半导体结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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