本发明涉及一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法,该方法采用双侧生长坩埚进行,所述的双侧生长坩埚包括坩埚体,坩埚体内设置有两个纵向间隔的多孔石墨片,多孔石墨片将坩埚体的内腔分割成左夹层、生长腔和右夹层,本发明的生长方法采用双侧生长坩埚进行,在坩埚的两个夹层放置SiC粉料,使SiC籽晶的两个面均存在一定浓度的SiC生长气相组分,有效避免了晶体高温生长时籽晶分解的现象,降低大直径SiC籽晶粘接不良导致的SiC单晶合格率低的问题,大大提高了SiC单晶的制备效率,降低了SiC单晶成本。制备的SiC单晶质量优于或相当于现有技术制备的SiC单晶质量,能够用于
新能源汽车、
光伏发电、5G通讯等领域。
声明:
“低成本、高产率SiC单晶的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)