本发明涉及一种压力驱动离子扩散生长制备无机
钙钛矿单晶薄膜的方法。首先用常规的溶液旋涂方法制备无机钙钛矿半导体多晶薄膜,然后用表面抛光的盖片与多晶薄膜表面紧密贴合,并用柔性耐高温薄膜包覆。接着,将样品放入充满液态传压传热介质的高压热压釜内,封釜后在热压釜上施加高压,并以设定的速度升温到设定值。恒温恒压处理一段时间后,使热压釜缓慢冷却到室温。卸去压力后,打开热压釜即可得到晶粒粒度大、结晶度高、晶界高度融合的高质量无机钙钛矿半导体单晶薄膜。本发明制备的无机钙钛矿单晶薄膜可用于研制高性能
太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等,在新能源技术、显示设备制造以及自动控制等领域有重要的应用价值。
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