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内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法

963   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:22:44
本发明属光电转换与新能源领域,为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题,提出一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法,包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层;所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结;硅pn结的形貌为金字塔阵列结构;p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压,此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系,相当于外加了此大小的电压于氧化铁层,将有效降低氧化铁光阳极的开启电压,提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率,从而实现了完全光解水。
声明:
“内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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