本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法,所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)
xMX
2,其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合,元素总量为
x,
,M为过渡族金属元素,X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)
xMX
2,即在MX
2层与层之间引入一层高熵原子层,可以对其插层量进行调控,从而得到不同的晶体结构,该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力,本发明的制备方法简易,反应周期短,成本低,可以获得高纯度的产物。
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