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固相插层法制备高熵层状化合物的方法

618   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:20:52
本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法,所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2,其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合,元素总量为x,M为过渡族金属元素,X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2,即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层,可以对其插层量进行调控,从而得到不同的晶体结构,该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力,本发明的制备方法简易,反应周期短,成本低,可以获得高纯度的产物。
声明:
“固相插层法制备高熵层状化合物的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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