本发明涉及一种导电基底负载的二硫化锡‑硫化镍核壳异质多孔纳米墙阵列结构及其制备方法,属于
新能源材料制备技术领域。在本产品中,构成纳米墙的纳米片内部是二硫化锡,壳层为均匀包覆的多孔硫化镍,且纳米墙垂直于导电基底形成均匀阵列结构。本发明产品的合成方法,首先通过溶剂热法制备出导电基底负载的二硫化锡纳米片阵列结构;然后以此为模板,以氯化镍作为镍源,在二次溶剂热过程中在二硫化锡表面均匀生长出多孔硫化镍薄层;最终获得所述产品。本方法原材料简单易得、设备和制备过程简单、工艺参数可控性强、产品收率高、生产过程清洁环保、易实现规模化生产;所述纳米结构密度大、产量大、纯度高、形貌可控,
电化学储能性能优异。
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“二硫化锡-硫化镍核壳异质多孔纳米墙阵列结构及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)