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制备有机‑无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法

1040   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 20:19:41
本发明涉及一种制备有机‑无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法。首先将有机‑无机复合半导体多晶薄膜吸附一定量的溶剂蒸汽，再将抛光的盖片放置于薄膜表面，将多晶薄膜和盖片一起用柔性薄膜包封后放入高压热压釜内，用液态传压传热介质填满热压釜后密封，并在热压釜上施加高压后开始加热。在恒温恒压处理一定时间后，逐步冷却到室温，缓慢地卸掉压力即得由大尺寸、高结晶度的晶粒组成、晶粒界面结合良好的有机‑无机复合半导体单晶薄膜。本发明制备的有机‑无机复合半导体单晶薄膜可用于研制高性能太阳能电池、电致发光器件、光敏探测器等半导体光电功能器件，在新能源技术、显示设备制造以及自动控制等领域有重要的应用价值。
声明：
“制备有机‑无机复合半导体单晶薄膜的空间限位溶剂辅助生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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