本发明提供基于金属纳米棒阵列涡流退火的
太阳能电池及制备方法,涉及新能源太阳能电池器件技术领域,从下到上依次为衬底、透明导电阳极ITO、阳极缓冲层、金属纳米棒阵列层、光活性层、PCBM阴极缓冲层和金属阴极;本发明通过在阳极缓冲层于光活性层之间添加金属纳米棒阵列层,有效调控了阳极缓冲层与光活性层的层间接触特性,降低了器件内部层间能量损耗,能够有效提高器件开路电压,同时,金属纳米棒阵列层与光活性层的接触特性较好,能够有效优化光活性层的结晶生长,并进一步的提高器件短路电流特性。
声明:
“基于金属纳米棒阵列涡流退火的太阳能电池及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)