本发明公开了一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法,主要解决现有高压碳化硅MOSFET导通电阻较大的问题。该器件包括:源极(1)、栅极(2)、栅氧介质(3)、N型源区(4)、P阱区(5)、JEFT区(6)、P型外延柱区(7)、N-外延(8)、P型衬底柱区(9)、N+衬底(10)和漏极(11),其中在P阱的正下方的N+衬底与N-外延的部分分别设有P型外延柱区(7)和P型衬底柱区(9),本发明可以有效降低器件的导通电阻,同时改善器件体内的电场分布,提高器件的耐压。本发明器件具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快、开关损耗低等优点,同时制作工艺简单,易于实现,可用于电力电子变压器,新能源发电、
光伏逆变器等领域。
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