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超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法

845   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:15:22
本发明公开了一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法,主要解决现有高压碳化硅MOSFET导通电阻较大的问题。该器件包括:源极(1)、栅极(2)、栅氧介质(3)、N型源区(4)、P阱区(5)、JEFT区(6)、P型外延柱区(7)、N-外延(8)、P型衬底柱区(9)、N+衬底(10)和漏极(11),其中在P阱的正下方的N+衬底与N-外延的部分分别设有P型外延柱区(7)和P型衬底柱区(9),本发明可以有效降低器件的导通电阻,同时改善器件体内的电场分布,提高器件的耐压。本发明器件具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快、开关损耗低等优点,同时制作工艺简单,易于实现,可用于电力电子变压器,新能源发电、光伏逆变器等领域。
声明:
“超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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