本发明公开一种MoS
2/MoSe
2异质结薄膜的制备方法,涉及半导体薄膜制备技术和新能源开发的领域。所述制备方法,包括如下步骤:(1)反应前驱液的制备:在溶剂中加入还原性试剂,搅拌至溶解;溶解后,依次加入硫源、钼源、硒源,搅拌至溶解,混合均匀后,得到反应前驱液;(2)基片衬底的前期表面处理:将基片衬底进行切割,切割后进行超声清洗,再浸泡清洗,清洗完成后进行干燥处理;(3)溶剂热反应:将步骤(2)中经过前期表面处理的基片衬底,与步骤(1)中得到的反应前驱液接触,进行溶剂热反应,得到沉积有MoS
2/MoSe
2异质结薄膜的基片;(4)将步骤(3)中得到的沉积有MoS
2/MoSe
2异质结薄膜的基片,进行清洗、真空干燥,得到所述MoS
2/MoSe
2异质结薄膜。
声明:
“MoS2/MoSe2异质结薄膜及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)