本实用新型涉及一种基于
石墨烯的远红外辐射发热
芯片,所述远红外辐射发热芯片具有多层结构,该多层结构包括:第一绝缘阻燃基材(1)和第二绝缘阻燃基材(5)、发热层(2)、铜银复合电极(3)以及热熔
复合材料层(4)。该远红外辐射发热芯片的电‑热辐射转换效率高、温度均匀、功率基本零衰减、耐热耐燃,解决了现有技术中功率衰减、使用寿命短、发热膜不耐温耐热耐燃的问题,杜绝了安全事故的发生。
声明:
“基于石墨烯的远红外辐射发热芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)