本实用新型公开的抗干扰半导体集成电路,由管帽、管基、管脚、半导体集成电路
芯片组成,管帽封装在管基之上;其特征是管帽有金属外层和陶瓷内层,管基有金属层和陶瓷基体,管基顶层镶有陶瓷;管脚采用金属引脚;半导体集成电路芯片用金属键合丝键合在管基金属层上或采用金属球焊接集成在管基金属层上。本实用新型的管基和管帽外层为金属层、内层为陶瓷材料,将二者有机结合得到
复合材料,实现从低频到高频的电磁屏蔽,使封装内外电磁环境达到良好的隔离,提升半导体集成电路的抗干扰能力。本实用新型的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
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