本发明公开一种2D+2D的MoS
2‑Ag‑rGO纳米复合物及其制备方法,属于纳米
复合材料技术领域。本发明的目的是提供一种提高半导体衬底的SERS活性的方法,本发明中的复合物由鳞片状MoS
2纳米片均匀地修饰在Ag‑rGO纳米片的表面形成,在发明中,调节反应时间从而改变MoS
2‑Ag‑rGO复合结构中MoS
2纳米片的含量与性能,并利用材料的本征拉曼光谱对其变化进行验证;并通过SERS活性检测,说明这种MoS
2‑Ag‑rGO结构既能够明显改善单纯的MoS
2的SERS性能又能够有效抑制其荧光背景信号。
声明:
“2D+2D的MoS2-Ag-rGO纳米复合物及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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