本发明属于二次电池技术领域,尤其涉及一种
负极材料及其制备方法、负极片和二次电池。本发明的负极材料的制备方法,包括以下步骤:步骤S1、将硅胶溶液与硫化钠混合,加热反应,过滤洗涤,除杂得到单质硅;步骤S2、将上述的单质硅与碳源、氟源和结构模板材料加入溶剂中,混合,冷冻干燥得到粉末体;步骤S3、将粉末体在惰性气体中加热煅烧得到Si@C‑F
复合材料即负极材料。本发明的一种负极材料的制造方法,反应制备得到具有较小颗粒粒径的单质硅,与碳、氟元素在结构模板材料中进行混合,煅烧得到的负极材料有效地解决硅的体积膨胀问题,同时具有良好的倍率性能和循环性能。
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