本发明公开了一种抗辐照的高熵合金/陶瓷多层薄膜,包括交替沉积的TaWTiVMo高熵合金层和
氧化铝层;高熵合金层包括以下质量百分数的元素:28%~32%Ta,30%~36%W,15%~20%Ti,8%~13%V,余量是Mo,TaWTiVMo高熵合金层为体心立方结构;氧化铝层中有纳米空洞。本发明还公开了一种抗辐照的高熵合金/陶瓷多层薄膜的制备方法。本发明利用高熵合金薄膜和Al2O3薄膜,制备纳米尺度的多层薄膜,二者形成的多层
复合材料增加了晶界密度,显著提升辐照环境下工作的电子设备元件的抗辐照性能。
声明:
“抗辐照高熵合金/陶瓷多层薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)