本发明公开了一种碳布上生长V
5.45S
8单晶纳米片的制备方法及其应用,包括以下步骤:五氧化二钒和草酸添加到蒸馏水中,加热条件下搅拌溶液至蓝色澄清,得到草酸钒溶液;将草酸钒溶液与醇类有机溶剂充分混合后,接着加入过氧化氢并搅拌均匀,得到混合溶液;将碳布依次用适量丙酮和浓硝酸活化处理,清洗,干燥,得到活化处理的碳布;将活化处理的碳布,加入到混合溶液中,然后转移至水热釜中,进行水热反应,反应完成后,得到生长了氧化钒前驱体的碳布;将生长了氧化钒前驱体的碳布,清洗干燥,在真空条件下与硫脲进行煅烧,得到碳布上生长V
5.45S
8单晶纳米片。本发明中采用了碳布作为碳源的
复合材料,其价格便宜易得,而且制备V
5.45S
8的工艺更简单,可有效降低其生产成本。
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“碳布生长V5.45S8单晶纳米片的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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