本发明公开一种低温原位生长纳米结构半导体金属氧化物的方法及应用。它是通过静电纺丝法在基底上沉积含有无机盐溶液的聚合物纳米纤维,随后将其进行水热处理,使得包含于聚合物纳米纤维中的无机盐原位转化为与基底结合紧密,具有纳米结构的半导体金属氧化物。本发明具有设备简单、步骤简便、能耗低、无需高温热处理,可在相对低的温度下,低于180℃,实现在不同基底上原位获得半导体金属氧化物
纳米材料等优点,可用于以聚合物为基底的柔性半导体金属氧化物器件的制备,并可进一步方便地实现半导体金属氧化物纳米材料与有机高分子的良好复合,制备有机/半导体金属氧化物纳米
复合材料和器件,在纳米光电器件领域具有良好的应用前景。
声明:
“低温原位生长纳米结构半导体金属氧化物的方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)