本申请属于光电器件技术领域,尤其涉及一种电子传输材料,所述电子传输材料具有核壳结构包括:ZnO核,以及包覆所述ZnO核的ZrO2壳层。本申请电子传输材料具有核壳结构,宽带隙半导体ZrO2壳层,可提高了核壳结构纳米晶
复合材料的稳定性,有利于电子的传输。同时,当电子传输材料应用于光电器件时,ZrO2的宽带隙可以有效的阻挡空穴从发光层传输到阳极,从而使电子和空穴在发光层中有更高的复合效率。并且,ZrO2壳层可以填补ZnO表面的氧空位,减少ZnO表面的氧空位,从而降低ZnO表面氧缺陷的形成,减少电子空穴对的辐射组合,提高电子传输性能,增强器件的发光效率。
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