合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 复合材料技术

> Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用

Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用

841   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:50:09
本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用,其中,贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收;此外,Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离,从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法,具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后,本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料,禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调,具有较大的比表面积,对太阳光有较强的吸收,适用于光电解水产氢。
声明:
“Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
复合材料
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记