本发明属于金属
复合材料及其制备技术领域,提供了一种多孔Cu‑SiC复合膜及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:S1、准备基片;S2、安装靶位;S3、制备Cu3N‑SiC复合膜;S4、制备多孔Cu‑SiC复合膜,将Cu3N‑SiC复合膜置于惰性气体环境进行退火处理,得到均匀分布的多孔Cu‑SiC复合膜。本发明通过利用Cu3N薄膜的较低的分解温度,分解为单质铜和氮气,双靶共溅射,可以使得方便改变铜靶的溅射功率,有效调控薄膜中铜或SiC的含量,方便、有效调控复合膜内SiC的体积分布、粒度大小和金属的成份,工艺简单,膜与基片结合紧密、孔径细小均匀,Cu‑SiC薄膜孔隙分布均匀。
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