本发明提供了一种在g-C3N4表面原位生长TiO2纳米晶的方法与应用。本发明通过以下步骤获得表面具有TiO2纳米晶的g-C3N4:首先通过热聚合制备出石墨相氮化碳g-C3N4,然后以钛酸四丁酯(TBOT)为钛源、乙酸铵为结构导向剂,采用溶剂热生长的方法使TiO2在g-C3N4表面进行原位生长。其特点是生长出来的TiO2纳米晶在g-C3N4表面具有很高的分散性,而且所制备的TiO2纳米晶的粒径大约只有15?nm,比其他方法(如水解法,微波法等)合成出来的要小很多,同时具有暴露的(001)高能面。本发明所述方法能够有效促进光生电子和空穴的分离,大大提高材料的光催化活性。通过应用于苯酚的光催化降解,证明这种g-C3N4/TiO2
复合材料具有比单纯g-C3N4、单纯TiO2以及机械混合g-C3N4/TiO2都要高的光催化活性。
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