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g-C3N4表面生长TiO2纳米晶的方法与应用

948   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 17:48:49
本发明提供了一种在g-C3N4表面原位生长TiO2纳米晶的方法与应用。本发明通过以下步骤获得表面具有TiO2纳米晶的g-C3N4：首先通过热聚合制备出石墨相氮化碳g-C3N4，然后以钛酸四丁酯（TBOT）为钛源、乙酸铵为结构导向剂，采用溶剂热生长的方法使TiO2在g-C3N4表面进行原位生长。其特点是生长出来的TiO2纳米晶在g-C3N4表面具有很高的分散性，而且所制备的TiO2纳米晶的粒径大约只有15?nm，比其他方法（如水解法，微波法等）合成出来的要小很多，同时具有暴露的（001）高能面。本发明所述方法能够有效促进光生电子和空穴的分离，大大提高材料的光催化活性。通过应用于苯酚的光催化降解，证明这种g-C3N4/TiO2复合材料具有比单纯g-C3N4、单纯TiO2以及机械混合g-C3N4/TiO2都要高的光催化活性。
声明：
“g-C3N4表面生长TiO2纳米晶的方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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