本发明涉及一种制备高岭土-
硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间,形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体,其特征在于其层间距d(001)在2.0nm到5.9nm之间。本发明方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内,且嫁接率高,不同于以往简单的表面吸附的改性过程。可以将硅烷的多个功能基团与高岭土的特有功能特性相互结合补偿,形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的复合物,甚至与有机母质在原位发生结合而使片层剥离,达到纳米尺度上的充填。本发明在纳米
复合材料、橡胶塑料填充材料领域具有较大的应用前景。
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“高岭土-硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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